SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算
2026.10.15 · 事件 · 行业动态 · 媒体报道
SK 海力士公开 3D FeNAND 实现模拟存内计算的研究成果，论文已发表于 IEEE。
SK 海力士公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。该方案利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。3D FeNAND 依靠铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态。
- SK 海力士公布 3D FeNAND 实现 A-CiM 的研究成果
- 相关研究已发表于 IEEE 论文
- A-CiM 用模拟信号在存储器内执行乘积累加运算
- 可减少数据搬运、提升处理速度和能效
- FeNAND 单存储单元可产生多种电流状态，适合 AI 权重数据
为什么值得看
铁电材料替代电荷俘获，为 AI 计算提供新的存储路线。
适合谁关注
关注存储芯片、存内计算与 AI 硬件的读者。